東京大学がシリコンを超える「ガリウムドープ酸化インジウム」トランジスタを開発、44.5 cm²/Vsの高移動度を実現 – innovaTopia 2025年6月8日2025年7月19日ai 東京大学生産技術研究所のAnlan Chen氏らがガリウムドープ酸化インジウム(InGaOx)を使用した革新的なトランジスタを開発。ゲート・オール・アラウンド構造により44.5 cm²/Vsの高い電子...